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本書系統地研究了低維氮化鎵納米材料的穩定性、電子、磁性等性質。全書共包括7章：靠前章為本書概述；第2章詳細地介紹了第-性原理方法；第3至第7章采 用基於密度泛函框架下的第性原理系統研究了填充GaN納米管、缺陷和摻雜GaN納米帶、吸附和摻雜GaN單層納米片、二維GaN/SiC納米片的穩定性、電子、磁學特性和磁性起源機理。
陳國祥，男，1979年3月出生，博士，副教授（校聘教授崗位），碩士研究生導師，“新型半導體光電子材料及器件”青年科研創新團隊帶頭人。西安石油大學“青年拔尖人才”，陝西省“青年科技新星”，國家自然科學基金項目同行評議專家，陝西省物理學會會員。2015年起享受陝西省“三秦人才”政府津貼。2015年1月至2016年1月在美國佛羅里達大學物理系進行合作科學研究（訪問學者）。王豆豆，2012年畢業于中國科學院西安光學精密機械研究所，獲理學博士學位，現為西安科技大學理學院教師。
主要從事納米聚合物材料結構和物性的理論研究。曾作為主要參與者承擔了國家自然科學基金專案“光學聚合物/二氧化鈦有序結構化新材料的設計、製備及應用基礎研究”的大部分研究工作。曾獲陝西省高等學校科學技術一等獎。合作出版教材4部，先後發表學術論文10篇，其中SCI收錄8篇，EI收錄2篇。
第1章 概述
第2章 理論計算基礎
第3章 過渡金屬納米線填充GaN納米管的結構、電子特性和磁性
第4章 GaN納米帶的結構 和電子性質
第5章 過渡金屬吸附二維GaN單層納米片的電子結構和磁性
第6章 過渡金屬摻雜GaN單層納米片磁性起源機理
第7 章 二維GaN/SiC納米片: 介面電子和磁學特性以及電場回應
