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日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。
◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。
◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。
針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！
非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？
本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。
從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。
《半導體乾蝕刻技術》精彩內容請看：www.pressstore.com.tw/freereading/9789863581291.pdf
作者簡介
野尻一男（Nojiri Kazuo）
■1973年 群馬大學工學部電子工學科畢業。
■1975年 群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
■1975年 進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。
■2000年 進入Lam Research公司擔任董事．CTO至今。
主要受獎
■1989年 以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
■1994年 以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
主要著作
《先端電氣化學》（丸善）共著
《半導體プロセスにおけるチャージング･ダメージ》(リアライズ社）共著
譯者簡介
倪志榮（Ni, Chih-Jung)
■1988年 國立清華大學畢業
■1991年 中日交流協會留日獎學生
■1993年 日本東京大學工學院碩士
■2014年 中部科學園區模範勞工
■曾任地球村美日語中心日語講師
現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。
序言
譯者序
第１章 半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術
1.1 乾蝕刻的概要
1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數
1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色
參考文獻
第２章 乾蝕刻的機制
2.1 電漿的基礎
1 電漿是什麼
2 電漿的各物理量
3 電漿中的碰撞反應過程
2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為
1 離子鞘與Vdc
2 離子鞘內的離子散射
2.3 蝕刻製程的建構方法
1 乾蝕刻的反應過程
2 非等向性蝕刻的機制
3 側壁保護過程
4 蝕刻率
5 選擇比
6 總結
參考文獻
第３章 各種材料的蝕刻
3.1 閘極蝕刻
1 Poly-Si閘極蝕刻
2 晶圓面內CD均勻度的控制
3 WSi2／Poly-Si閘極蝕刻
4 W／WN／Poly-Si閘極蝕刻
5 Si基板的蝕刻
3.2 SiO2蝕刻
1 SiO2蝕刻的機制
2 SiO2蝕刻的關鍵參數
3 孔洞系列的蝕刻
4 SAC蝕刻
5 Spacer蝕刻
3.3 連線蝕刻
1 Al連線蝕刻
2 Al連線的防腐蝕處理技術
3 其它連線材料的蝕刻
3.4 總結
參考文獻
第４章 乾蝕刻設備
4.1 乾蝕刻設備的歷史
4.2 圓筒型電漿蝕刻機
4.3 CCP電漿蝕刻機
4.4 磁電管RIE
4.5 ECR電漿蝕刻機
4.6 ICP電漿蝕刻機
4.7 乾蝕刻設備的實例
4.8 靜電吸盤
1 靜電吸盤的種類以及吸附原理
2 晶圓溫度控制的原理
參考文獻
第５章 乾蝕刻損傷
5.1 導入Si表層的損傷
5.2 充電損傷
1 充電損傷的評鑑方法
2 充電的發生機制
3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法
4 起因於圖形的閘極氧化層破壞
參考文獻
第６章 新蝕刻技術
6.1 Cu 鑲嵌蝕刻
6.2 Low-k蝕刻
6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線
6.4 金屬閘極／High-k蝕刻
6.5 FinFET蝕刻
6.6 雙重圖形定義
6.7 用於3D IC的蝕刻技術
參考文獻
第７章 乾蝕刻技術今後的課題與展望
7.1 關於乾蝕刻的技術革新
7.2 今後的課題與展望
7.3 作為工程師的心理準備
參考文獻
